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IRF7321D2

-30V -4.7A/25°C -3.8A/70°C 62mO +sD , 62.5°C/W sD: 3.2A <0.57V

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IRF7321D2 Infineon Technologies
IRF7321D2 Infineon Technologies
IRF7321D2 Infineon Technologies
pezzi
ID Code:136418
Produttore:Infineon Technologies
Prezzo con IVA : 0,760285 €
Prezzo senza IVA : 0,628334 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: IRF7321D2PBF
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Unità:: pezzi
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Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 0,628334 €0,760284 €
5 + 0,576961 €0,698123 €
10 + 0,525588 €0,635961 €
48 + 0,497925 €0,602489 €
-30V -4.7A/25°C -3.8A/70°C 62mO +sD , 62.5°C/W sD: 3.2A <0.57V

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreIRF7321D2PBF 
Tipo di componente:FET Tranzistor 
KategorieFET+Diode (FETKY) 
Configurazione:Single 1*(T-BD+Separate D) 
Specifica:Enhancement Mode 
Costruzione:1*FET-BD+1*D 
Numero di circuiti 1 ks
Tipo di caso:SMD 
Caso [inch] :SO- 8 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:0.7 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):95 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -30 [V]
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)-4.7 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)-3.8 [A]
UF (maximum forward voltage)0.52 [VDC]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)-5000 [V/µs]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)2 [W]
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V)62 [mΩ]
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)98 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)66 [ns]
Qg (Total Gate Charge)23 [nC]
Cin/CL Load Capacitance710 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:4.90*3.90*1.70 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthja (ambient)62.5 [°C/W]
RM - Pitch pins1.27 [mm]
RM1 - Spaziatura delle righe [mm]
Number of Pins
L - Lunghezza 4.9 [mm]
W - Larghezza 3.9 [mm]
H - Altezza 1.7 [mm]
PIN dimensioni0,41x0,25 [mm]
Lv - Length of outlets1.1 [mm]

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