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IRF7335D1

30V 2x10A/25° 8.1A/70° 13.4mO +12V *L , 2W Rthja=62.5°C/W dual SO1

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IRF7335D1 Infineon Technologies
IRF7335D1 Infineon Technologies
IRF7335D1 Infineon Technologies
pezzi
ID Code:145576
Produttore:Infineon Technologies
Prezzo con IVA : 2,915087 €
Prezzo senza IVA : 2,409163 €
VAT:21 %
Disponibilità:In magazzino
Stock totale:309 pezzi
Marcatura del produttore: IRF7335D1
Magazzino centrale Zdice: 309 pezzi
Unità:: pezzi
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Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
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30V 2x10A/25° 8.1A/70° 13.4mO +12V *L , 2W Rthja=62.5°C/W dual SO1

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreIRF7335D1 
Tipo di componente:FET Tranzistor 
KategorieFET+Diode (FETKY) 
Configurazione:Half Bridge 
Specifica:Enhancement Mode 
Costruzione:2*FET-BD+1*D 
Numero di circuiti 2 ks
Tipo di caso:SMD 
Caso [inch] :SO-14 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSNo 
REACHNo 
NOVINKA

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:0.3 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):55 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 30 [V]
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)10 [A]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)8.1 [A]
UF (maximum forward voltage)[VDC]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)999999 [V/µs]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)2 [W]
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)13.4 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)31 [ns]
Qg (Total Gate Charge)13 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1500 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:SO- 14 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthja (ambient)62.5 [°C/W]
RM - Pitch pins1.27 [mm]
RM1 - Spaziatura delle righe [mm]
L - Lunghezza 8.65 [mm]
W - Larghezza 3.9 [mm]
H - Altezza 1.75 [mm]
PIN dimensioni0,41x0,25 [mm]
Lv - Length of outlets[mm]

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