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DIM1800ESS12-A000

IGBT 1200V / 1800A Single, Cu Base

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DIM1800ESS12-A000 Dynex Semiconductor
DIM1800ESS12-A000 Dynex Semiconductor
DIM1800ESS12-A000 Dynex Semiconductor
pezzi
ID Code:171417
Produttore:Dynex Semiconductor
Prezzo con IVA : 950,902434 €
Prezzo senza IVA : 785,869780 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: DIM1800ESS12-A000
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 785,869780 €950,902434 €
3 + 766,198298 €927,099941 €
6 + 726,934494 €879,590738 €
12 + 667,999208 €808,279042 €
IGBT 1200V / 1800A Single, Cu Base

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreDIM1800ESS12-A000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:single-E3*(T+D) 
Costruzione:3*(IGBT+D) 
Numero di circuiti 3 ks
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :MODUL-E 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
Material BaseCu+AL2O3 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:1900 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1800 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)1800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.9 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
I2t (TC/TA=25°C)900000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)15625  [W]
tr (Turn-on / rise time)200 [ns]
tf (turn-off=fall time)190 [ns]
Qg (Total Gate Charge)20000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance200000 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:190x140x38 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)125 [°C]
Rthjc (case)0.008 [°C/W]
L - Lunghezza 190 [mm]
W - Larghezza 140 [mm]
H - Altezza 38 [mm]

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