Trans IGBT Module N-CH 1200V 913A
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | SKM600GA12T4 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configurazione: | single 1*(T+D) |
Costruzione: | 1*(IGBT+D) |
Numero di circuiti | 1 ks |
Tipo di caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITRANS-4 |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 314 [g] |
Tipo di imballaggio: | BOX |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 12 |
Parametri elettro-fisici:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 913 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 702 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.14 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.8 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 5700000 [A2s] |
tr (Turn-on / rise time) | 90 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 100 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 3400 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 37200 pF |
Parametri termici e meccanici:
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | 106x61x37 |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.049 [°C/W] |
L - Lunghezza | 106 [mm] |
W - Larghezza | 61 [mm] |
H - Altezza | 37 [mm] |