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APT100GT120JRDQ4

Trans IGBT Module N-CH 1200V 123A 570000mW 4-Pin SOT-227 Tube

pezzi
ID Code:187810
Produttore:Microchip Technology
Prezzo con IVA : 82,3801 €
Prezzo senza IVA : 68,0827 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: APT100GT120JRDQ4
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
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Unità:: pezzi
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Informazioni di base:

Marcatura del produttoreAPT100GT120JRDQ4 
KategorieIGBT Full Silicon 
Tipo di componente:IGBT-NPT 
Configurazione:single 1*(T+D) 
Costruzione:1*IGBT+1*D 
Tipo di materiale:!_si-silicon_! 
RoHSSì 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:33 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):30 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)123 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)123 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)67 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)3.2 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)570  [W]
tr (Turn-on / rise time)100 [ns]
tf (turn-off=fall time)36 [ns]
Qg (Total Gate Charge)685 [nC]
Cin/CL Load Capacitance6700 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.22 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.56 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Spaziatura delle righe 12.7 [mm]
Number of Pins
D - Diametro esterno 4.1 [mm]
W - Larghezza 25.3 [mm]
L - Lunghezza 38.1 [mm]
H - Altezza 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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