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APT200GT60JR

Trans IGBT Module N-CH 600V 195A 500000mW SOT-227

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APT200GT60JR Microchip Technology
APT200GT60JR Microchip Technology
APT200GT60JR Microchip Technology
pezzi
ID Code:187884
Produttore:Microchip Technology
Prezzo con IVA : 66,0840 €
Prezzo senza IVA : 54,6149 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: APT200GT60JR
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Unità:: pezzi
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Informazioni di base:

Marcatura del produttoreAPT200GT60JR 
Tipo di componente:IGBT-NPT 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:single (1T) 
Costruzione:1*IGBT 
Numero di circuiti 1 ks
Tipo di materiale:!_si-silicon_! 
RoHSSì 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:SOT-227 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:36 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):30 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)195 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)195 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)100 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)[V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)500  [W]
tr (Turn-on / rise time)160 [ns]
tf (turn-off=fall time)212 [ns]
Qg (Total Gate Charge)946 [nC]
Cin/CL Load Capacitance8650 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.21 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Spaziatura delle righe 12.7 [mm]
Number of Pins
D - Diametro esterno 4.1 [mm]
W - Larghezza 25.3 [mm]
L - Lunghezza 38.1 [mm]
H - Altezza 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)SOT-227 [mm]

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