IGBT Chip N-CH 600V 40A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | APT20GN60BDQ1G |
Type of casing: | THT |
Caso: | !_to-247ad_3_! |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configurazione: | !_single 1*(t+d)_! |
Tipo di materiale: | !_si-silicon_! |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 6 [g] |
Tipo di imballaggio: | TUBE |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 30 |
Parametri elettro-fisici:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 600 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 40 [A] |
Idc max (Tc/Ta=25°C) | 40 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 24 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 2.18 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.9 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 136 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 22 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 10 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 95 [ns] |
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.015 [MHz] |
Qg (Total Gate Charge) | 120 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1110 pF |
Parametri termici e meccanici:
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 1.1 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 1.35 [°C/W] |
Number of Pins | 3 |
PIN dimensioni | 0.00 [mm] |
Alternative e sostituzioni
Prodotti alternativi 1: | IXXH30N60B3D1 |