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APT20GN60BDQ1G

IGBT Chip N-CH 600V 40A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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APT20GN60BDQ1G Microsemi / Microchip Technology
APT20GN60BDQ1G Microsemi / Microchip Technology
pezzi
ID Code:185726
Produttore:Microsemi / Microchip Technology
Prezzo con IVA : 3,2588 €
Prezzo senza IVA : 2,6932 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: APT20GN60BDQ1G
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
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Unità:: pezzi
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IGBT Chip N-CH 600V 40A 136000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreAPT20GN60BDQ1G 
Type of casing:THT 
Caso:!_to-247ad_3_! 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:!_single 1*(t+d)_! 
Tipo di materiale:!_si-silicon_! 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:[g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):30 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)40 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)40 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)24 [A]
UF (maximum forward voltage)2.18 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.9 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)136  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)22 [ns]
tr (Turn-on / rise time)10 [ns]
tf (turn-off=fall time)95 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.015 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)120 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1110 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)175 [°C]
Rthjc1 IGBT1.1 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.35 [°C/W]
Number of Pins
PIN dimensioni0.00 [mm]

Alternative e sostituzioni

Prodotti alternativi 1:IXXH30N60B3D1 

La query APT20GN60BDQ1G

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