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APT50GN60BDQ2G

IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

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APT50GN60BDQ2G Microsemi / Microchip Technology
pezzi
ID Code:185727
Produttore:Microsemi / Microchip Technology
Prezzo con IVA : 5,9373 €
Prezzo senza IVA : 4,9068 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
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Marcatura del produttore: APT50GN60BDQ2G
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Unità:: pezzi
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IGBT Chip N-CH 600V 107A 366000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreAPT50GN60BDQ2G 
Type of casing:THT 
Caso:!_to-247ad_3_! 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:!_single 1*(t+d)_! 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Parametri elettrici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)107 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)107 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)64 [A]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.45 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)366  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)22 [ns]
tr (Turn-on / rise time)25 [ns]
tf (turn-off=fall time)100 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.015 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)325 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3200 pF

Materiale, colore, disegno:

Tipo di materiale:!_si-silicon_! 

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.41 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.67 [°C/W]

Dimensioni:

Number of Pins
PIN dimensioni0.00 [mm]

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:12.98 [g]
Imballaggio:30 

Alternative e sostituzioni

Prodotti alternativi 1:IXXH75N60B3D1 
Prodotti alternativi 2:IXXH50N60B3D1 

La query APT50GN60BDQ2G

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