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APT80M60J

Trans MOSFET N-CH Si 600V 84A 4-Pin SOT-227 Tube

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APT80M60J Microchip Technology
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pezzi
ID Code:188876
Produttore:Microchip Technology
Prezzo con IVA : 78,970182 €
Prezzo senza IVA : 65,264613 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: APT80M60J
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Tempi di consegna dalla fabbrica: 42wk-49wk
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 65,264613 €78,970182 €
5 + 62,546998 €75,681868 €
10 + 59,827409 €72,391165 €
25 + 57,108215 €69,100940 €


Informazioni di base:

Marcatura del produttoreAPT80M60J 
Tempi di consegna dalla fabbrica42wk-49wk [wk]
Tipo di componente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configurazione:Single 1*(T-BD) 
Specifica:Enhancement Mode 
Costruzione:1*FET-BD 
Numero di circuiti 1 ks
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :SOT-227 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:36 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 600 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)52 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)960  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)55 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)900 [ns]
tr (Turn-on / rise time)155 [ns]
tf (turn-off=fall time)125 [ns]
Qg (Total Gate Charge)600 [nC]
Cin/CL Load Capacitance24000 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc (case)0.13 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Spaziatura delle righe 12.7 [mm]
D - Diametro esterno 4.1 [mm]
L - Lunghezza 38.1 [mm]
W - Larghezza 25.3 [mm]
H - Altezza 12 [mm]

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