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APTGTQ100H65T3G

IGBT 650V

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APTGTQ100H65T3G Microchip Technology
APTGTQ100H65T3G Microchip Technology
APTGTQ100H65T3G Microchip Technology
APTGTQ100H65T3G Microchip Technology
pezzi
ID Code:185771
Produttore:Microchip Technology
Prezzo con IVA : 166,631823 €
Prezzo senza IVA : 137,712250 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: APTGTQ100H65T3G
Tempi di consegna dalla fabbrica: 42wk-49wk
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 137,712250 €166,631823 €
5 + 131,975460 €159,690307 €
10 + 126,237087 €152,746875 €
25 + 120,499109 €145,803922 €
IGBT 650V H-Bridge • High speed IGBT 5

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreAPTGTQ100H65T3G 
Tempi di consegna dalla fabbrica42wk-49wk [wk]
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:Bridge 1f 
Costruzione:4*(IGBT+D) 
Numero di circuiti 4 ks
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :SP3F 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:125 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)60 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)250  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)46 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf (turn-off=fall time)18 [ns]
Qg (Total Gate Charge)240 [nC]
Cin/CL Load Capacitance6000 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:73x43x12 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.6 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.7 [°C/W]
RM - Pitch pins3.81 [mm]
RM1 - Spaziatura delle righe 38 [mm]
L - Lunghezza 73.4 [mm]
W - Larghezza 42.5 [mm]
H - Altezza 12 [mm]
PIN dimensioni1,35 [mm]
Lv - Length of outlets5.3 [mm]

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