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APTGTQ200A65T3G

IGBT 650V

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APTGTQ200A65T3G Microchip Technology
APTGTQ200A65T3G Microchip Technology
pezzi
ID Code:185776
Produttore:Microchip Technology
Prezzo con IVA : 158,0752 €
Prezzo senza IVA : 130,6406 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: APTGTQ200A65T3G
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Storage esterno (tempi di consegna 5÷10 giorni): 0 pezzi
Unità:: pezzi
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25 + 114,3115 €138,3169 €
IGBT 650V Half-Bridge • High speed IGBT 5 up 100kHz

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreAPTGTQ200A65T3G 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:Half Bridge 
Tipo di materiale:!_si-silicon_! 
RoHSSì 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_sp3f_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:125 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):10 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 650 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)120 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.2 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)483  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)46 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf (turn-off=fall time)18 [ns]
Qg (Total Gate Charge)480 [nC]
Cin/CL Load Capacitance12000 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.31 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.35 [°C/W]
RM - Pitch pins3.81 [mm]
RM1 - Spaziatura delle righe 38 [mm]
W - Larghezza 42.5 [mm]
L - Lunghezza 73.4 [mm]
H - Altezza 12 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)73x43x12 [mm]
PIN dimensioni1,35 [mm]
Lv - Length of outlets5.3 [mm]

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