Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

APTLGT300A1208G

IPM - IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
APTLGT300A1208G Microchip Technology
APTLGT300A1208G Microchip Technology
APTLGT300A1208G Microchip Technology
APTLGT300A1208G Microchip Technology
ks
ID Code:185781
Výrobce:Microchip Technology
Cena s DPH : 20 718,225000 Kč
Cena bez DPH : 17 122,500000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: APTLGT300A1208G
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Dodací lhůta výrobce: 42wk-49wk ?

Očekávaná dodací lhůta

Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 17 122,500000 Kč20 718,225000 Kč
5 + 16 409,030000 Kč19 854,926300 Kč
10 + 15 695,590000 Kč18 991,663900 Kč
25 + 14 982,160000 Kč18 128,413600 Kč
Inteligent Power Module - IGBT 1200V - Half Bridge, Trench + Field Stop IGBT3 Technology with drivers and a protection
použití: Řízení motoru, Zdroje nepřerušitelného napájení, Spínané napájecí zdroje, Zesilovače
Funkce: Technologie Trench + Field Stop IGBT 3, Nízký úbytek napětí, malý zbytkový proud, Měkké zotavovací paralelní diody, nízký úbytek na diodách Vf, nízký svodový proud, nominální RBSOA a SCSOA, Integrovaná ochrana proti selhání IGBT (ovladač) Horní dolní vstupní signály Blokování, Izolovaný převodník DC / DC, Nízká rozptylová indukčnost, Napájecí konektory M5, Vysoká úroveň integrace
Výhody: Vynikající výkon při VF provozu, Teplotní stabilita, Robustní, Izol. pouzdro a Galvanická izolace: 3750 V pro optočlen, 2500V pro transformátor , nízký tep. odpor,Velmi vysoká odolnost proti rušení (common mode rejection > 25kV/µs), 5V logika,
Je vyžadováno jedno VDD = napájení 5 V, Sekundární pomocné napájecí zdroje interně generované (15 V, -6 V). Optokopler

Základní informace:

Značení výrobceAPTLGT300A1208G 
Dodací lhůta výrobce42wk-49wk [wk] ?

Očekávaná dodací lhůta

KategorieIGBT IPM-Inteligent 
Konfigurace:Half Bridge 1*(Phase Leg)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Konstrukce:2*(IGBT+D) 
Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :LP8 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:570 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)440 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)300 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.1 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1400 [W]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)170 [ns]
tr (Turn-on / rise time)40 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)70 [ns]
Cin (Input Capacitance)21000 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:110x84x27 
Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.09 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.16 [°C/W]
RM - Rozteč vývodů2.54 [mm]
L - Délka 110.6 [mm]
W - Šířka 84.4 [mm]
H - Výška 27.2 [mm]
Rozměry vývodů0,64 [mm]
Lv - Délka vývodů11 [mm]

Související zboží - APTLGT300A1208G

I+case 62x108_F05-AL2 I+case 62x108_F05-AL2   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra se základnou 62x108mm pro tepelně náročné aplikace
ID: 176028   Zn.výrobce: F05-AL2- 62x108mm  
Množství [ks]1+10+20+50+
CZK/ks87,00000076,80000071,80000064,400000
na dotaz
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? APTLGT300A1208G Microchip Technology

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace