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APTM120A15FG

MOSFET Half Bridge1200V/60A

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APTM120A15FG Microchip Technology
APTM120A15FG Microchip Technology
APTM120A15FG Microchip Technology
pezzi
ID Code:185810
Produttore:Microchip Technology
Prezzo con IVA : 581,3419 €
Prezzo senza IVA : 480,4479 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: APTM120A15FG
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Unità:: pezzi
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QuantitàPrezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 480,4479 €581,3419 €
5 + 460,4301 €557,1204 €
10 + 440,4114 €532,8978 €
25 + 420,3928 €508,6752 €


Informazioni di base:

Marcatura del produttoreAPTM120A15FG 
Tipo di componente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configurazione:Half Bridge 
Specifica:!_enhancement mode_! 
Costruzione:2*FET-BD 
Numero di circuiti 2 ks
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_sp6-3_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:330 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)60 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)60 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)45 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1250  [W]
Input Logic Level (Ugs level)30V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)175 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)320 [ns]
tr (Turn-on / rise time)15 [ns]
tf (turn-off=fall time)45 [ns]
f max50 [kHz]
Qg (Total Gate Charge)748 [nC]
Cin/CL Load Capacitance20600 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc (case)0.1 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.08 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.14 [°C/W]
RM - Pitch pins[mm]
W - Larghezza 62 [mm]
L - Lunghezza 108 [mm]
H - Altezza 17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x17 [mm]
PIN dimensioni2,8 [mm]
Lv - Length of outlets[mm]

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