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APTM120UM70DAG
MOSFET Single 1200V/171A with Series diodes
| ID Code: | 185819 |
| Produttore: | Microchip Technology |
| Prezzo con IVA : | 572,057115 € |
| Prezzo senza IVA : | 472,774475 € |
| VAT: | 21 % |
| Disponibilità: | su richiesta |
| Stock totale: | 0 pezzi |
| Marcatura del produttore: | APTM120UM70DAG |
| Tempi di consegna dalla fabbrica: | 42wk-49wk |
| Unità:: | pezzi |
| Panoramica degli sconti sulla quantità | Quantità (pezzi) | Prezzo senza IVA | Prezzo con IVA | |
| 1 + | 472,774475 € | 572,057115 € | ||
| 5 + | 453,075307 € | 548,221121 € | ||
| 10 + | 433,376536 € | 524,385609 € | ||
| 25 + | 413,677368 € | 500,549615 € |
Single MOSFET Power Module 1200V/171A Rdson = 70m?Ohm / Power MOS 7® with Series diodes
Informazioni di base:
| Marcatura del produttore | APTM120UM70DAG |
| Tempi di consegna dalla fabbrica | 42wk-49wk [wk] |
| Tipo di componente: | FET Tranzistor |
| Kategorie | FET N-Channel |
| Configurazione: | Single 1*(T-BD+SeriesD) |
| Specifica: | Enhancement Mode |
| Costruzione: | 2*FET-BD+1*D |
| Numero di circuiti | 1 ks |
| Tipo di caso: | Modul |
| Caso [inch] : | SP6-2 |
| Tipo di materiale: | Si-Silicon |
| RoHS | Sì |
| REACH | No |
| NOVINKA | A |
| RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
| Unità: | pezzi |
| Peso: | 330 [g] |
| Tipo di imballaggio: | BOX |
| Pacchetto piccolo (numero di unità): | 1 |
Parametri elettro-fisici:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 126 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 2.5 [VDC] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 5000 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 80 [mΩ] |
| trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 400 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 62 [ns] |
| f max | 50 [kHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 1650 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 43500 pF |
Parametri termici e meccanici:
| Dimensioni (L*W*H) [mm]: | 108x62x17 |
| Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
| Tmax (temperatura massima di esercizio) | 150 [°C] |
| Rthjc (case) | 0.025 [°C/W] |
| Rthjc1 IGBT | 0.08 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.14 [°C/W] |
| RM - Pitch pins | 6 [mm] |
| L - Lunghezza | 108 [mm] |
| W - Larghezza | 62 [mm] |
| H - Altezza | 17 [mm] |
| PIN dimensioni | 2,8 [mm] |
| Lv - Length of outlets | 4 [mm] |