BAS85
30V 100mA 0.25W 0.8V/100mA ,
| ID Code: | 133502 |
| Produttore: | NXP Semiconductors (Philips) |
| Prezzo con IVA : | 0,0804 € |
| Prezzo senza IVA : | 0,0664 € |
| VAT: | 21 % |
| Disponibilità: | In magazzino |
| Stock totale: | 3177 pezzi |
| Marcatura del produttore: | BAS85 |
| Magazzino centrale Zdice: | 3177 pezzi |
| Unità:: | pezzi |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Quantità | Prezzo senza IVA | Prezzo con IVA |
| 5 + | 0,0664 € | 0,0804 € |
| 100 + | 0,0590 € | 0,0714 € |
30V 100mA 0.25W 0.8V/100mA ,
| Gap (per numero di prodotto) | 999.99 [mm] |
Informazioni di base:
| Marcatura del produttore | BAS85 |
| Type of casing: | SMD |
| Caso: | !_minimelf glass_! |
| Kategorie | Diode Schottky SMD |
| Tipo di componente: | !_diode schottky silicon_! |
| Configurazione: | 1xDiode |
| RoHS | Sì |
| REACH | No |
| NOVINKA | N |
| RoHS1 | Ano |
Attrezzatura di base:
| Numero di circuiti | 1 ks |
Parametri elettrici:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 30 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 0.2 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 0.2 [A] |
| UF (maximum forward voltage) | 0.8 [VDC] |
| IR (reverse current) | 2.3 [µA] |
| du/dt (critical rate of rise of on-state voltage) | 999999 [V/µs] |
Materiale, colore, disegno:
| Tipo di materiale: | !_si-silicon_! |
Parametri termici e meccanici:
| Tmin (temperatura minima di esercizio) | -55 [°C] |
| Tmax (temperatura massima di esercizio) | 125 [°C] |
| Rthja (ambient) | 320 [°C/W] |
Dimensioni:
| PIN dimensioni | 0.00 [mm] |
Imballo e peso:
| Unità: | pezzi |
| Peso: | 0.05 [g] |
| Imballaggio: | 2500 |
Alternative e sostituzioni
| Prodotti alternativi 1: | LL42 |
| Prodotti alternativi 2: | TMMBAT42 |
| Prodotti alternativi 3: | LL103B |
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