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C2M0025120D

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 3-Pin(3+Tab) TO-247

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C2M0025120D Cree
C2M0025120D Cree
C2M0025120D Cree
pezzi
ID Code:182688
Produttore:Cree
Prezzo con IVA : 150,192057 €
Prezzo senza IVA : 124,125667 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: C2M0025120D
Unità:: pezzi
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Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 124,125667 €150,192057 €
6 + 110,729105 €133,982217 €
15 + 107,370085 €129,917803 €
30 + 100,652045 €121,788974 €
1200V Mosfet SiC, 90A / TO-247

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreC2M0025120D 
Tipo di componente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Configurazione:single 1*(T-BD) 
Specifica:SiC Enhancement Mode MOSF 
Costruzione:1*FET-BD 
Tipo di caso:THT 
Caso [inch] :TO-247AD_3 
Tipo di materiale:SiC Full 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:7.2 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):30 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)60 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)463  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)45 [ns]
tr (Turn-on / rise time)32 [ns]
tf (turn-off=fall time)28 [ns]
Qg (Total Gate Charge)161 [nC]
Cin/CL Load Capacitance2788 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:TO-247 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc (case)0.27 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]
RM - Pitch pins5.45 [mm]
Number of Pins
D - Diametro esterno 3.65 [mm]
L - Lunghezza 21 [mm]
W - Larghezza 16 [mm]
H - Altezza [mm]
PIN dimensioni1,4 [mm]
Lv - Length of outlets19.8 [mm]

Alternative e sostituzioni

Alternativa 1:185656 - MSC025SMA120B (MCH) 
Prodotti alternativi 1:MSC025SMA120B 
Prodotti alternativi 2:MSC025SMA120B4 

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