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CCS050M12CM2

SiC MOSFET 1200V / 59A SixPack

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CCS050M12CM2 Cree
pezzi
ID Code:183781
Produttore:Cree
Prezzo con IVA : 556,733807 €
Prezzo senza IVA : 460,110585 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: CCS050M12CM2
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Unità:: pezzi
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Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 460,110585 €556,733808 €
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5 + 450,592417 €545,216825 €
10 + 447,432859 €541,393759 €
SiC MOSFET 1200V / 59A SixPack

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreCCS050M12CM2 
Tipo di componente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configurazione:Bridge 3f 
Specifica:SiC Enhancement Mode MOSF 
Costruzione:6*FET-BD+6*D 
Tipo di caso:Modul 
Tipo di materiale:SiC Full 
Material BaseCu 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:330 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):12 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)59 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)5000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)312  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
tr (Turn-on / rise time)19 [ns]
tf (turn-off=fall time)21 [ns]
Qg (Total Gate Charge)32 [nC]
Cin/CL Load Capacitance2810 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)125 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.37 [°C/W]

Alternative e sostituzioni

Prodotti alternativi 1:MSCSM120TAM31CT3AG 

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