Full SiC MOSFET 1200V / 50A Half Bridge
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | DACMH80N1200 |
Tipo di componente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Configurazione: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Specifica: | SiC Enhancement Mode MOSF |
Costruzione: | 2*FET-BD |
Tipo di caso: | Modul |
Caso [inch] : | HB-9434 |
Tipo di materiale: | SiC Full |
Material Base | No Info |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 185 [g] |
Tipo di imballaggio: | BOX |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 12 |
Parametri elettro-fisici:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 50 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3000 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 460 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
tr (Turn-on / rise time) | 29 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 30 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 196 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 3050 pF |
Parametri termici e meccanici:
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | 94x34x30 |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -50 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.26 [°C/W] |
L - Lunghezza | 94 [mm] |
W - Larghezza | 34 [mm] |
H - Altezza | 30 [mm] |