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DIM 125PHM65-TS000

SPT IGBT Module 6500V/125A Half Bridge, AlSiC, low switching loss

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DIM 125PHM65-TS000 Dynex Semiconductor
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Non più in magazzino
ID Code:185427
Produttore:Dynex Semiconductor
Prezzo: su richiesta
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: DIM125PHM65-TS000
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
IGBT Module 3300V/125A Half Bridge, AlSiC, Chip technology Soft Punch Through Silicon and high current density enhanced DMOS.

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreDIM125PHM65-TS000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Costruzione:2*(IGBT+D) 
Numero di circuiti 2 ks
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :MODUL-P 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:700 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)125 [A]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)125 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)3.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)11000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1850  [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
tr (Turn-on / rise time)340 [ns]
tf (turn-off=fall time)450 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance20000 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:140x73x38 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.054 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.108 [°C/W]
L - Lunghezza 140 [mm]
W - Larghezza 73 [mm]
H - Altezza 38 [mm]

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