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DIM 500GDM33-PS500

IGBT Module 3300V/500A , Dual , AlSiC ,

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DIM 500GDM33-PS500 Dynex Semiconductor
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ID Code:185407
Produttore:Dynex Semiconductor
Prezzo: su richiesta
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: DIM500GDM33-PS500
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Unità:: pezzi
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Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
IGBT Module 3300V/500A , Dual , AlSiC , Gen4 DMOS, Low Switching Loss Range

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreDIM500GDM33-PS500 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:single 2*(T+D) 
Costruzione:2*(IGBT+D) 
Numero di circuiti 2 ks
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :MODUL-G 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:1250 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)500 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)500 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.6 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.4 [V]
I2t (TC/TA=25°C)80000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)5200  [W]
Esw (125°C)2400 [mJ]
tr (Turn-on / rise time)260 [ns]
tf (turn-off=fall time)520 [ns]
Qg (Total Gate Charge)9000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance90000 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:130x160x38 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.024 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.048 [°C/W]
L - Lunghezza 130 [mm]
W - Larghezza 160 [mm]
H - Altezza 38 [mm]

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