IGBT 4500V /1200A Single, AlSiC
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | DIM1200ASM45-TF000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configurazione: | singl-E 3*(T+D) |
Costruzione: | 3*IGBT+3*D |
Tipo di materiale: | AlSiC base |
Materiale: Involucro | Si-Silicon |
RoHS | Sì |
REACH | No |
Type of casing: | MODUL |
Caso: | MODUL - A |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 2010.2 [g] |
Tipo di imballaggio: | BOX |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 2 |
Parametri elettro-fisici:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 4500 [V] |
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 1200 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 1200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 7400 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.8 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 3.5 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 460 [1000*A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 12500 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
tr (Turn-on / rise time) | 290 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 400 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 17000 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 150000 pF |
Parametri termici e meccanici:
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 125 [°C] |
Rthjc (case) | 0.008 [°C/W] |
W - Larghezza | 140 [mm] |
L - Lunghezza | 190 [mm] |
H - Altezza | 48 [mm] |
Rozměry/Velikost (LxWxH) | 190x140x48 [mm] |
Alternative e sostituzioni
Prodotti alternativi 1: | CM1200HC-90R |