75V 90A/137°C 4.5mO , Rthjc=0.48°C/W TO-263AB
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | FDB045AN08A0 |
Tipo di componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET N-Channel |
Configurazione: | Single 1*(T-BD) |
Specifica: | Enhancement Mode |
Costruzione: | 1*FET-BD |
Numero di circuiti | 1 ks |
Tipo di caso: | SMD |
Caso [inch] : | D2-PAK |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 4.8 [g] |
Tipo di imballaggio: | K33D |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 800 |
Parametri elettro-fisici:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 75 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 310 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 5V |
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V) | 5 [mΩ] |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 4 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 53 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 92 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 6600 pF |
Parametri termici e meccanici:
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | D2-PAK |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 0.48 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 62 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.54 [mm] |
RM1 - Spaziatura delle righe | 5.08 [mm] |
L - Lunghezza | 8.7 [mm] |
W - Larghezza | 10 [mm] |
H - Altezza | 4.4 [mm] |
PIN dimensioni | 0,85x0,55 [mm] |
Lv - Length of outlets | 2.6 [mm] |
Alternative e sostituzioni
Prodotti alternativi 1: | FDB060AN08A0 |