-55V -31A/25°C -22A/100°C 60mO , 110W/25°C Rthjc=1.4°C/W
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | IRF5305LPBF |
Tipo di componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Configurazione: | Single 1*(T-BD) |
Specifica: | Enhancement Mode |
Costruzione: | 1*FET-BD |
Numero di circuiti | 1 ks |
Tipo di caso: | THT |
Caso [inch] : | TO-262 |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 0.09 [g] |
Tipo di imballaggio: | TUBE |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 50 |
Parametri elettro-fisici:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -55 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | -22 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 110 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 60 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 71 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 63 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 1200 pF |
Parametri termici e meccanici:
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 175 [°C] |
Rthjc (case) | 1.4 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 40 [°C/W] |
Number of Pins | 3 |