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IRF5305L

-55V -31A/25°C -22A/100°C 60mO , 110W/25°C Rthjc=1.4°C/W

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IRF5305L Infineon Technologies
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Non più in magazzino
ID Code:129762
Produttore:Infineon Technologies
Prezzo: su richiesta
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: IRF5305LPBF
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
-55V -31A/25°C -22A/100°C 60mO , 110W/25°C Rthjc=1.4°C/W

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreIRF5305LPBF 
Tipo di componente:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configurazione:Single 1*(T-BD) 
Specifica:Enhancement Mode 
Costruzione:1*FET-BD 
Numero di circuiti 1 ks
Tipo di caso:THT 
Caso [inch] :TO-262 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:0.09 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):50 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -55 [V]
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)-22 [A]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)110  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)60 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)71 [ns]
Qg (Total Gate Charge)63 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1200 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)175 [°C]
Rthjc (case)1.4 [°C/W]
Rthja (ambient)40 [°C/W]
Number of Pins

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