MOSFET AUTO -150V 1 P-CH HEXFET 580mOhms
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | IRF6215 |
Tipo di componente: | FET Tranzistor |
Kategorie | FET P-Channel |
Configurazione: | Single 1*(T-BD) |
Specifica: | Enhancement Mode |
Costruzione: | 1*FET-BD |
Numero di circuiti | 1 ks |
Tipo di caso: | THT |
Caso [inch] : | TO-220AB |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
RoHS | No |
REACH | No |
NOVINKA | N |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 2.4 [g] |
Tipo di imballaggio: | TUBE |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 50 |
Parametri elettro-fisici:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | -150 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | -9 [A] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 110 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 10V |
Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 290 [mΩ] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 160 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 66 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 860 pF |
Parametri termici e meccanici:
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | TO-220 |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 1.4 [°C/W] |
Rthja (ambient) | 62 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 2.5 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Lunghezza | 15 [mm] |
L1 - Lunghezza | 6.5 [mm] |
W - Larghezza | 10 [mm] |
H - Altezza | 4 [mm] |
PIN dimensioni | 1 [mm] |
Lv - Length of outlets | 12.7 [mm] |