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IRF7701

-12V -10A/25°C -8A/70°C 11mO/10A TSSOP , 38W/25°C Rthjc=3.3°C/W

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IRF7701 Infineon Technologies
IRF7701 Infineon Technologies
IRF7701 Infineon Technologies
pezzi
ID Code:131169
Produttore:Infineon Technologies
Prezzo con IVA : 1,801619 €
Prezzo senza IVA : 1,488942 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: IRF7701PBF
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Unità:: pezzi
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Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 1,488942 €1,801620 €
10 + 1,196682 €1,447985 €
25 + 1,133491 €1,371524 €
50 + 1,070300 €1,295063 €
-12V -10A/25°C -8A/70°C 11mO/10A TSSOP , 38W/25°C Rthjc=3.3°C/W

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreIRF7701PBF 
Tipo di componente:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configurazione:Single 1*(T-BD) 
Specifica:Enhancement Mode 
Costruzione:1*FET-BD 
Numero di circuiti 1 ks
Tipo di caso:SMD 
Caso [inch] :TSSOP- 8 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:0.09 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):100 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -12 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)-8 [A]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)1.5 [W]
Input Logic Level (Ugs level)3V 
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V)15 [mΩ]
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)11 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)52 [ns]
Qg (Total Gate Charge)69 [nC]
Cin/CL Load Capacitance5050 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthja (ambient)83 [°C/W]

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