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IRF7756TR

-12Vx2 -4.3A/25°C -3.5A/100°C 40mO , Rthja=125°C/W 1W/25°C

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IRF7756TR Infineon Technologies
IRF7756TR Infineon Technologies
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Non più in magazzino
ID Code:129820
Produttore:Infineon Technologies
Prezzo: su richiesta
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: IRF7756TRPBF
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
-12Vx2 -4.3A/25°C -3.5A/100°C 40mO , Rthja=125°C/W 1W/25°C

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreIRF7756TRPBF 
Tipo di componente:FET Tranzistor 
KategorieFET P-Channel 
Configurazione:Single 2*(T-BD) 
Specifica:Enhancement Mode 
Costruzione:2*FET-BD 
Numero di circuiti 2 ks
Tipo di caso:SMD 
Caso [inch] :TSSOP- 8 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:0.09 [g]
Pacchetto piccolo (numero di unità):4000 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) -12 [V]
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C)-3.5 [A]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)1 [W]
Input Logic Level (Ugs level)3V 
Rds(on) 3V (Ugs=2.5÷2.7V)58 [mΩ]
Rds(on) 5V (Ugs=4.5÷5V)40 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)35 [ns]
Qg (Total Gate Charge)12 [nC]
Cin/CL Load Capacitance1400 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthja (ambient)125 [°C/W]

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