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MMBZ33VALT1G

33V 31.35÷34.65V/1mA 2xspol.A 40Wpuls , Uc=46V/870mA

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MMBZ33VALT1G ON Semiconductor (Farchild)
MMBZ33VALT1G ON Semiconductor (Farchild)
MMBZ33VALT1G ON Semiconductor (Farchild)
pezzi
ID Code:157712
Produttore:ON Semiconductor (Farchild)
Prezzo con IVA : 0,043035 €
Prezzo senza IVA : 0,035566 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: MMBZ33VALT1G
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Unità:: pezzi
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Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
10 + 0,035566 €0,043035 €
100 + 0,029638 €0,035862 €
300 + 0,027267 €0,032993 €
1000 + 0,023711 €0,028690 €
33V 31.35÷34.65V/1mA 2xspol.A 40Wpuls , Uc=46V/870mA

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreMMBZ33VALT1G 
Terminali:SMD 
Tipo di componente:Diode TVS 
KategorieDiode TVS SMD 
Configurazione:com.anode 2D 
Costruzione:Unidirectional 
Numero di circuiti 2 ks
Tipo di caso:SMD 
Caso [inch] :SOT- 23/3 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
Tolleranza del valore nominale± 5 % 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:0.01 [g]
Tipo di imballaggio:K18A 
Pacchetto piccolo (numero di unità):3000 

Parametri elettro-fisici:

Urwm Reverse Stand-Off26 V
UBR / UZ nominal 33 [V] ?

UBR nominal value - Breakdown Voltage @ IT (Test Current)

UCL max. 46 [V] ?

Maximum Clamping Voltage VCL ( @ Maximum Peak Pulse Current IPP).

IPP max. 0.87 [A] ?

Maximum Peak Pulse Current IPP.

IR (reverse current)0.05 [µA]
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C)0.225 [W]
PPPM (Ta=25°C; 10x1000µs)40 [W] ?

Peak Pulse Power Dissipation at TA=25°C by 10x1000µs waveform.

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:SOT-23/3 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthja (ambient)556 [°C/W]
RM - Pitch pins0.95 [mm]
Number of Pins
L - Lunghezza 2.9 [mm]
W - Larghezza 1.3 [mm]
H - Altezza [mm]
PIN dimensioni0,5 [mm]
Lv - Length of outlets0.54 [mm]

Alternative e sostituzioni

Alternativa 1:- MMBZ33VAL &DD () 
Prodotti alternativi 1:MMBZ33VAL 

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