33V 31.35÷34.65V/1mA 2xspol.A 40Wpuls , Uc=46V/870mA
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | MMBZ33VALT1G |
Terminali: | SMD |
Tipo di componente: | Diode TVS |
Kategorie | Diode TVS SMD |
Configurazione: | com.anode 2D |
Costruzione: | Unidirectional |
Numero di circuiti | 2 ks |
Tipo di caso: | SMD |
Caso [inch] : | SOT- 23/3 |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
Tolleranza del valore nominale | ± 5 % |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 0.01 [g] |
Tipo di imballaggio: | K18A |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 3000 |
Parametri elettro-fisici:
Urwm Reverse Stand-Off | 26 V |
UBR / UZ nominal | 33 [V] ?UBR nominal value - Breakdown Voltage @ IT (Test Current) |
UCL max. | 46 [V] ?Maximum Clamping Voltage VCL ( @ Maximum Peak Pulse Current IPP). |
IPP max. | 0.87 [A] ?Maximum Peak Pulse Current IPP. |
IR (reverse current) | 0.05 [µA] |
Pd-bez chladiče (Ta=25÷75°C) | 0.225 [W] |
PPPM (Ta=25°C; 10x1000µs) | 40 [W] ?Peak Pulse Power Dissipation at TA=25°C by 10x1000µs waveform. |
Parametri termici e meccanici:
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | SOT-23/3 |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -55 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 150 [°C] |
Rthja (ambient) | 556 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 0.95 [mm] |
Number of Pins | 3 |
L - Lunghezza | 2.9 [mm] |
W - Larghezza | 1.3 [mm] |
H - Altezza | 1 [mm] |
PIN dimensioni | 0,5 [mm] |
Lv - Length of outlets | 0.54 [mm] |
Alternative e sostituzioni
Alternativa 1: | - MMBZ33VAL &DD () |
Prodotti alternativi 1: | MMBZ33VAL |