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DIM 250PHM33-TL000

IGBT Module 3300V/250A Half Bridge, AlSiC

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DIM 250PHM33-TL000 Dynex Semiconductor
DIM 250PHM33-TL000 Dynex Semiconductor
DIM 250PHM33-TL000 Dynex Semiconductor
pezzi
ID Code:161284
Produttore:Dynex Semiconductor
Prezzo con IVA : 548,887176 €
Prezzo senza IVA : 453,625766 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: DIM250PHM33-TL000
Unità:: pezzi
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Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 453,625766 €548,887177 €
3 + 442,284134 €535,163802 €
6 + 419,600869 €507,717051 €
12 + 385,615491 €466,594744 €
IGBT Module 3300V/250A Half Bridge, AlSiC

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreDIM250PHM33-TL000 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Costruzione:2*(IGBT+D) 
Numero di circuiti 2 ks
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :MODUL-P 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:700 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)250 [A]
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C)250 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)6000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.5 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)[V]
I2t (TC/TA=25°C)20000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2600  [W]
Esw (125°C)1200 [mJ]
tr (Turn-on / rise time)430 [ns]
tf (turn-off=fall time)610 [ns]
Qg (Total Gate Charge)5000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance45000 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:140x73x38 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc (case)0.048 [°C/W]
L - Lunghezza 140 [mm]
W - Larghezza 73 [mm]
H - Altezza 38 [mm]

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