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DIM 800XSM45-TS001

IGBT Module 4500V/800A Single, AlSiC, In Package Uisol=10,2kV

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DIM 800XSM45-TS001 Dynex Semiconductor
DIM 800XSM45-TS001 Dynex Semiconductor
DIM 800XSM45-TS001 Dynex Semiconductor
pezzi
ID Code:161268
Produttore:Dynex Semiconductor
Prezzo con IVA : 1 003,145228 €
Prezzo senza IVA : 829,045643 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: DIM800XSM45-TS001
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 829,045643 €1 003,145228 €
3 + 808,298755 €978,041494 €
6 + 766,844497 €927,881841 €
12 + 704,682869 €852,666271 €
IGBT Module 4500V/800A Single, AlSiC, In Package Uisol=10,2kV

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreDIM800XSM45-TS001 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:single-E2*(T+D) 
Costruzione:2*(IGBT+D) 
Numero di circuiti 2 ks
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :MODUL-X 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:1018.6 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)800 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)800 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)2.8 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)205000 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)8300  [W]
tr (Turn-on / rise time)350 [ns]
tf (turn-off=fall time)600 [ns]
Qg (Total Gate Charge)15000 [nC]
Cin/CL Load Capacitance100000 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:130x140x48 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)125 [°C]
Rthjc (case)0.012 [°C/W]
L - Lunghezza 130 [mm]
W - Larghezza 140 [mm]
H - Altezza 48 [mm]

Alternative e sostituzioni

Prodotti alternativi 1:FZ800R45KL3_B5 
Prodotti alternativi 2:CM800HG-90R 

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