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BSM25GB120DN2

IGBT 1200V

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BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
BSM25GB120DN2 Infineon Technologies
pezzi
ID Code:169132
Produttore:Infineon Technologies
Prezzo con IVA : 94,103142 €
Prezzo senza IVA : 77,771191 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: BSM25GB120DN2
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 77,771191 €94,103141 €
3 + 75,953369 €91,903576 €
5 + 75,044458 €90,803794 €
10 + 74,096028 €89,656194 €
IGBT 1200V

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreBSM25GB120DN2 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Costruzione:2*(IGBT+D) 
Numero di circuiti 2 ks
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :SEMITRANS-2 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:0.09 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):10 

Parametri elettro-fisici:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)38 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)25 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)2.3 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)200  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)130 [ns]
tr (Turn-on / rise time)65 [ns]
tf (turn-off=fall time)50 [ns]
Cin/CL Load Capacitance1650 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)125 [°C]
Rthjc (case)0.6 [°C/W]
L - Lunghezza 94 [mm]
W - Larghezza 34 [mm]
H - Altezza 30 [mm]

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