Trans IGBT Module N-CH 1200V 320A 1100000mW Automotive
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | FF200R12KT4 |
Tipo di componente: | IGBT-Trench/Fieldstop |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configurazione: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Costruzione: | 2*(IGBT+D) |
Numero di circuiti | 2 ks |
Tipo di caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITRANS-3 |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
Material Base | Cu+AL2O3 |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 355 [g] |
Tipo di imballaggio: | BOX |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 10 |
Parametri elettro-fisici:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 320 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 200 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.65 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.75 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 7800 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 1100 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 40 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 100 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 1800 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 14000 pF |
Parametri termici e meccanici:
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | 108x62x31 |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.135 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 28 [mm] |
L - Lunghezza | 106.4 [mm] |
W - Larghezza | 61.4 [mm] |
H - Altezza | 30.5 [mm] |
Alternative e sostituzioni
Alternativa 1: | 133748 - SKM200GB12T4 (SMK) |
Alternativa 2: | 144896 - SKM200GB12V (SMK) |