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FS75R12KE3_B9

IGBT 1200V

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FS75R12KE3_B9 Infineon Technologies
pezzi
ID Code:172888
Produttore:Infineon Technologies
Prezzo con IVA : 303,339279 €
Prezzo senza IVA : 250,693619 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: FS75R12KE3_B9
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 250,693619 €303,339279 €
8 + 248,672216 €300,893381 €
16 + 246,690448 €298,495442 €
40 + 242,687277 €293,651605 €
IGBT 1200V

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreFS75R12KE3_B9 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:Bridge 3f 
Costruzione:6*(IGBT+D) 
Numero di circuiti 6 ks
Tipo di caso:Modul 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:207.68 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)105 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)75 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.65 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.7 [V]
I2t (TC/TA=25°C)1200 [A2s]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)350  [W]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)65 [ns]
Qg (Total Gate Charge)700 [nC]
Cin/CL Load Capacitance5300 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)125 [°C]
Rthjc (case)0.35 [°C/W]

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