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SKM200GB12T4SiC2

IGBT 1200V Hybrid SiC

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SKM200GB12T4SiC2 Semikron
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ID Code:173631
Produttore:Semikron
Prezzo: su richiesta
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: SKM200GB12T4SiC2
Unità:: pezzi
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Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
IGBT 1200V Hybrid SiC

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreSKM200GB12T4SiC2 
KategorieIGBT Hybrid SiC 
Configurazione:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Costruzione:2*(IGBT+D) 
Numero di circuiti 2 ks
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :SEMITRANS-3 
Tipo di materiale:SiC Hybrid 
Material BaseCu 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:355 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):12 

Parametri elettro-fisici:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)246 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)187 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.4 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
tr (Turn-on / rise time)40 [ns]
tf (turn-off=fall time)82 [ns]
Qg (Total Gate Charge)1130 [nC]
Cin/CL Load Capacitance12300 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:108x62x31 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)125 [°C]
Rthjc (case)0.14 [°C/W]
RM - Pitch pins28 [mm]
L - Lunghezza 106.4 [mm]
W - Larghezza 61.4 [mm]
H - Altezza 30.5 [mm]

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I+case 62x106_F05-AL2 I+case 62x106_F05-AL2   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Produttore no.: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3  
Quantità [pezzi]1+50+200+500+
EUR/pezzi2,3710732,2604232,1418692,031219
Stock totale: 9104
Produttore: SEMIC EU  
RoHS
Tutti i prezzi sono senza IVA e non includono spese di spedizione, che verranno aggiunto all'ordine come elemento separato.

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