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IXFN210N30P3

300V 192A N-channel MOSFET SOT-227B , 14,5mO miniBLOC

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IXFN210N30P3 Ixys
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IXFN210N30P3 Ixys
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pezzi
ID Code:178481
Produttore:Ixys
Prezzo con IVA : 36,444048 €
Prezzo senza IVA : 30,119048 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: IXFN210N30P3
Unità:: pezzi
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10 + 29,285714 €35,435714 €
300V 192A N-channel MOSFET SOT-227B , 14,5mO miniBLOC

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreIXFN210N30P3 
Tipo di componente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configurazione:Single 1*(T-BD) 
Specifica:Enhancement Mode 
Costruzione:1*FET-BD 
Numero di circuiti 1 ks
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :SOT-227 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
Material BaseNo Info 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:36 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):10 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 300 [V]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1500  [W]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)14.5 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
tr (Turn-on / rise time)25 [ns]
tf (turn-off=fall time)13 [ns]
Qg (Total Gate Charge)268 [nC]
Cin/CL Load Capacitance16200 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc (case)0.18 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Spaziatura delle righe 12.7 [mm]
D - Diametro esterno 4.1 [mm]
L - Lunghezza 38.1 [mm]
W - Larghezza 25.3 [mm]
H - Altezza 12 [mm]

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