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IXFN60N80P

Trans MOSFET N-CH 800V 53A 4-Pin SOT-227B

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IXFN60N80P Ixys
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pezzi
ID Code:181387
Produttore:Ixys
Prezzo con IVA : 52,215768 €
Prezzo senza IVA : 43,153527 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: IXFN60N80P
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 43,153527 €52,215768 €
3 + 41,809919 €50,590002 €
5 + 40,466311 €48,964236 €
10 + 39,122703 €47,338471 €


Informazioni di base:

Marcatura del produttoreIXFN60N80P 
Tipo di componente:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Configurazione:Single 1*(T-BD) 
Specifica:Enhancement Mode 
Costruzione:1*FET-BD 
Numero di circuiti 1 ks
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :SOT-227 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:36 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):10 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 800 [V]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1040  [W]
Input Logic Level (Ugs level)10V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)140 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
Qg (Total Gate Charge)250 [nC]

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc (case)0.12 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Spaziatura delle righe 12.7 [mm]
D - Diametro esterno 4.1 [mm]
L - Lunghezza 38.1 [mm]
W - Larghezza 25.3 [mm]
H - Altezza 12 [mm]

Alternative e sostituzioni

Alternativa 1:188935 - APT58M80J (MCH) 

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