High Speed IGBT 1200V above 15kHz
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | SKM150GB12F4G |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configurazione: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Costruzione: | 2*(IGBT+D) |
Numero di circuiti | 2 ks |
Tipo di caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITRANS-3 |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 355 [g] |
Tipo di imballaggio: | BOX |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 12 |
Parametri elettro-fisici:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 201 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 153 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.6 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.42 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 850 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 8800 pF |
Parametri termici e meccanici:
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | 108x62x31 |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.2 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 28 [mm] |
L - Lunghezza | 106.4 [mm] |
W - Larghezza | 61.4 [mm] |
H - Altezza | 30.5 [mm] |
Alternative e sostituzioni
Alternativa 1: | 132882 - SKM200GB125D (SMK) |