IGBT 1200V
ID Code: | 182143 |
Produttore: | Semikron |
Prezzo: | su richiesta |
VAT: | 21 % |
Stock totale: | 0 pezzi |
Marcatura del produttore: | SK75GD12T4ETE2 |
Unità:: | pezzi |
Marcatura del produttore | SK75GD12T4ETE2 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configurazione: | Bridge 3f -SE(single emiter) |
Costruzione: | 6*(IGBT+D) |
Numero di circuiti | 6 ks |
Tipo di caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMITOP-E2 |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
Material Base | Ceramic |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Unità: | pezzi |
Peso: | 34 [g] |
Tipo di imballaggio: | BOX |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 84 [A] |
Idc max (Tc/Ta=70÷79°C) | 68 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.49 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.85 [V] |
Qg (Total Gate Charge) | 570 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 4400 pF |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 175 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.65 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.77 [°C/W] |
L - Lunghezza | 57 [mm] |
W - Larghezza | 63 [mm] |
H - Altezza | 17 [mm] |