Single Full SiC MOSFET 1200V 200A 980W SOT-227
ID Code: | 182142 |
Produttore: | Daco Semiconductor |
Prezzo con IVA : | 305,257630 € |
Prezzo senza IVA : | 252,279033 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilità: | su richiesta |
Stock totale: | 0 pezzi |
Marcatura del produttore: | DACMI200N1200 |
Unità:: | pezzi |
Panoramica degli sconti sulla quantità | Quantità (pezzi) | Prezzo senza IVA | Prezzo con IVA | |
1 + | 252,279033 € | 305,257630 € | ||
2 + | 239,318272 € | 289,575109 € | ||
4 + | 226,397146 € | 273,940547 € | ||
7 + | 219,936583 € | 266,123265 € |
Marcatura del produttore | DACMI200N1200 |
Tipo di componente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Configurazione: | single 1*(T-BD) |
Specifica: | SiC Enhancement Mode MOSF |
Costruzione: | 1*FET-BD |
Tipo di caso: | Modul |
Caso [inch] : | SOT-227 |
Tipo di materiale: | SiC Full |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Unità: | pezzi |
Peso: | 36 [g] |
Tipo di imballaggio: | TUBE |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 13 |
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 125 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 6.5 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 980 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 28 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 95 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 25 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 503 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 8784 pF |
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | 38.1*25.3*12.0 |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -50 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 150 [°C] |
Rthjc (case) | 0.13 [°C/W] |
Rthjc1 IGBT | 0.13 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 15 [mm] |
RM1 - Spaziatura delle righe | 12.7 [mm] |
D - Diametro esterno | 4.1 [mm] |
L - Lunghezza | 38.1 [mm] |
W - Larghezza | 25.3 [mm] |
H - Altezza | 12 [mm] |
I+case 25,4x 38,2_F05-AL2 Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm ID: 181709 Produttore no.: F05-AL2_25,4x38,2mm_SOT227Uni
| Stock totale: 7491 Produttore: SEMIC EU |