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IXBN75N170A

Tranzistor IGBT 75 Amps 1700V 6.00 Rds

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IXBN75N170A Ixys
IXBN75N170A Ixys
IXBN75N170A Ixys
pezzi
ID Code:182208
Produttore:Ixys
Prezzo con IVA : 60,296458 €
Prezzo senza IVA : 49,831783 €
VAT:21 %
Disponibilità:In magazzino
Stock totale:12 pezzi
Marcatura del produttore: IXBN75N170A
Magazzino centrale Zdice: 12 pezzi
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 49,831783 €60,296457 €
3 + 49,079755 €59,386504 €
5 + 48,723531 €58,955473 €
10 + 48,327726 €58,476548 €
Tranzistor IGBT 75 Amps 1700V 6.00 Rds

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreIXBN75N170A 
Tipo di componente:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN 
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :SOT-227 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:36 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):10 

Parametri elettro-fisici:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)75 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)42 [A]
UF (maximum forward voltage)4.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)4.95 [V]
IDC-OUT (TC/TA=25°C)[A]
du/dt (critical rate of rise of on-state voltage)1000 [V/µs]
tf (turn-off=fall time)150000 [ns]

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc (case)0.2 [°C/W]
RM - Pitch pins15 [mm]
RM1 - Spaziatura delle righe 12.7 [mm]
D - Diametro esterno 4.1 [mm]
L - Lunghezza 38.1 [mm]
W - Larghezza 25.3 [mm]
H - Altezza 12 [mm]

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