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DPI1600P45C3616

Press-Pack IGBT + Diode 4500V/1600A

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DPI1600P45C3616 Dynex Semiconductor
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Non più in magazzino
ID Code:182771
Produttore:Dynex Semiconductor
Prezzo: su richiesta
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: DPI1600P45C3616
Unità:: pezzi
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Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
Press-Pack IGBT + Diode 4500V/1500A

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreDPI1600P45C3616 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:single 1*(T+D) 
Costruzione:1*(IGBT+D) 
Numero di circuiti 1 ks
Tipo di caso:PUK 
Caso [inch] :PUK170/125x27T 
Tipo di materiale:Si-Silicon 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:3700 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)1600 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)1600 [A]
UF (maximum forward voltage)3.2 [VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)15600  [W]
tr (Turn-on / rise time)490 [ns]
tf (turn-off=fall time)1900 [ns]
Qg (Total Gate Charge)26000 [nC]

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)125 [°C]
Rthjc1 IGBT0.006 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.014 [°C/W]
D - Diametro esterno 170 [mm]
H - Altezza 27 [mm]
Fmin:50000 [N]
Fmax:70000 [N]

Alternative e sostituzioni

Prodotti alternativi 1:T1600GB45E 
Prodotti alternativi 2:5SNA 2000K451300 
Prodotti alternativi 3:T1600GB45G 

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