Press-Pack IGBT + Diode 4500V/1500A
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | DPI1600P45C3616 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configurazione: | single 1*(T+D) |
Costruzione: | 1*(IGBT+D) |
Numero di circuiti | 1 ks |
Tipo di caso: | PUK |
Caso [inch] : | PUK170/125x27T |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 3700 [g] |
Tipo di imballaggio: | BOX |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 6 |
Parametri elettro-fisici:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1600 [A] |
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C) | 1600 [A] |
UF (maximum forward voltage) | 3.2 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.5 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 15600 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 490 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 1900 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 26000 [nC] |
Parametri termici e meccanici:
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.006 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.014 [°C/W] |
D - Diametro esterno | 170 [mm] |
H - Altezza | 27 [mm] |
Fmin: | 50000 [N] |
Fmax: | 70000 [N] |
Alternative e sostituzioni
Prodotti alternativi 1: | T1600GB45E |
Prodotti alternativi 2: | 5SNA 2000K451300 |
Prodotti alternativi 3: | T1600GB45G |