High Speed IGBT 1200V above 15kHz
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | DAGNH 751200 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configurazione: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Costruzione: | 2*(IGBT+D) |
Numero di circuiti | 2 ks |
Tipo di caso: | Modul |
Caso [inch] : | HW-9434 |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 167.7 [g] |
Tipo di imballaggio: | BOX |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 64 |
Parametri elettro-fisici:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 150 [A] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 75 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 3600 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.3 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.8 [V] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 350 [W] |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 162 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 150 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 50 [ns] |
Cin/CL Load Capacitance | 14000 pF |
Parametri termici e meccanici:
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.36 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.55 [°C/W] |
L - Lunghezza | 94 [mm] |
W - Larghezza | 34 [mm] |
H - Altezza | 30 [mm] |
Alternative e sostituzioni
Alternativa 1: | 181826 - SKM 75GB12F4 (SMK) |