IGBT 1200V
ID Code: | 183412 |
Produttore: | Dynex Semiconductor |
Prezzo con IVA : | 200,041864 € |
Prezzo senza IVA : | 165,323855 € |
VAT: | 21 % |
Disponibilità: | su richiesta |
Stock totale: | 0 pezzi |
Marcatura del produttore: | TG 450HF12M1-S3A00 |
Unità:: | pezzi |
Panoramica degli sconti sulla quantità | Quantità (pezzi) | Prezzo senza IVA | Prezzo con IVA | |
1 + | 165,323855 € | 200,041865 € | ||
3 + | 158,135861 € | 191,344392 € | ||
6 + | 143,759874 € | 173,949448 € | ||
12 + | 129,383886 € | 156,554502 € |
Marcatura del produttore | TG 450HF12M1-S3A00 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configurazione: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Costruzione: | 2*(IGBT+D) |
Numero di circuiti | 2 ks |
Tipo di caso: | Modul |
Caso [inch] : | SEMiX-3p |
Tipo di materiale: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Unità: | pezzi |
Peso: | 450 [g] |
Tipo di imballaggio: | BOX |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 450 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 450 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.65 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 1.65 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 4600 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 2800 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 70 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 260 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 4600 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 62000 pF |
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | 150x62x21 |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.052 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.086 [°C/W] |
L - Lunghezza | 150 [mm] |
W - Larghezza | 62 [mm] |
H - Altezza | 21 [mm] |
Alternativa 1: | 185021 - DIM 450M1HS12-PB500 (DYN) |