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IXXN110N65C4H1

IGBT 650V

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IXXN110N65C4H1 Ixys
IXXN110N65C4H1 Ixys
pezzi
ID Code:173078
Produttore:Ixys
Prezzo con IVA : 20,0589 €
Prezzo senza IVA : 16,5776 €
VAT:21 %
Disponibilità:In magazzino
Stock totale:24 pezzi
Marcatura del produttore: IXXN110N65C4H1
Magazzino centrale Zdice: 24 pezzi
Storage esterno (tempo di consegna di 5÷10 giorni): 0 pezzi
Unità:: pezzi
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QuantitàPrezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 16,5776 €20,0589 €
5 + 15,6567 €18,9446 €
High speed IGBT 650V / 200A / 20-60kHz

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreIXXN110N65C4H1 
Type of casing:MODUL 
Caso:SOT-227 
KategorieIGBT Full Silicon 
Configurazione:!_single 1*(t+d)_! 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Parametri elettrici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 650 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)110 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)[VDC]
UCE (sat) (@25°C)2.35 [V]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)750  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)100 [ns]
tr (Turn-on / rise time)32 [ns]
tf (turn-off=fall time)43 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)180 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3690 pF

Materiale, colore, disegno:

Tipo di materiale:!_si-silicon_! 

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc1 IGBT0.2 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.42 [°C/W]

Dimensioni:

PIN dimensioni0.00 [mm]

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:44.26 [g]
Imballaggio:10 

!_souvisejici zbozi_! - IXXN110N65C4H1

I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL I+SOT227Uni-25,4x38,2=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages SOT-227, ISOTOP and in size 25,4x38,1 mm
ID: 181709   Produttore no.: F05-AL2-25,4x38,2mm-Uni  
Quantità [pezzi]1+10+
EUR/pezzi0,66310,6263
Stock totale: 3256
Produttore: -  
RoHS
Tutti i prezzi sono senza IVA e non includono spese di spedizione, che verranno aggiunto all'ordine come elemento separato.

La query IXXN110N65C4H1

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