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MSCSM120A10CT1AG

Full SiC MOSFET 1200V / 24A

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MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
pezzi
ID Code:186233
Produttore:Microchip Technology - Microsemi
Prezzo con IVA : 97,3240 €
Prezzo senza IVA : 80,4331 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: MSCSM120A10CT1AG
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
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Unità:: pezzi
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• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreMSCSM120A10CT1AG 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_modul-sp1f_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Configurazione:!_half bridge_! 
Tipo di materiale:!_sic_! 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:80 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):10 

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)30 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)30 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)24 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)146  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)100 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)31 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.05 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)64 [nC]
Cin/CL Load Capacitance838 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)150 [°C]
Rthjc1 IGBT1.03 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.55 [°C/W]
PIN dimensioni0.00 [mm]

La query MSCSM120A10CT1AG

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