MSCSM120AM027CT6AG
MOSFET 1200V Full SiC MOS + SIC Diode
| ID Code: | 185287 |
| Produttore: | Microsemi |
| Prezzo con IVA : | 1 332,7607 € |
| Prezzo senza IVA : | 1 101,4551 € |
| VAT: | 21 % |
| Disponibilità: | su richiesta |
| Stock totale: | 0 pezzi |
| Marcatura del produttore: | MSCSM120AM027CT6AG |
| Magazzino centrale Zdice: | 0 pezzi |
| Storage esterno (tempo di consegna di 5÷10 giorni): | 0 pezzi |
| Unità:: | pezzi |
| !_prehled mnozstevnich slev_! | Quantità | Prezzo senza IVA | Prezzo con IVA |
| 1 + | 1 101,4551 € | 1 332,7607 € |
| 3 + | 1 011,7149 € | 1 224,1750 € |
MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M5 power connectors
. Internal thermistor for temperature monitoring
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M5 power connectors
. Internal thermistor for temperature monitoring
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance
Informazioni di base:
| Marcatura del produttore | MSCSM120AM027CT6AG |
| Type of casing: | MODUL |
| Caso: | !_modul-t6li_! |
| Kategorie | Full SiC (MOS+D) |
| Tipo di componente: | !_n-mosfet_! |
| Configurazione: | !_half bridge_! |
| RoHS | Sì |
| REACH | Sì |
| NOVINKA | A |
| UL94 | V-0 |
Parametri elettrici:
| Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1200 [V] |
| Idc max (Tc/Ta=25÷160°C) | 733 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=25°C) | 733 [A] |
| Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 584 [A] |
| Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
| UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
| IR (reverse current) | 1800 [µA] |
| Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 2970 [W] |
| Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
| Rds(on) 10V (Ugs=10V) | 3.5 [mΩ] |
| trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 90 [ns] |
| tr (Turn-on / rise time) | 55 [ns] |
| tf (turn-off=fall time) | 67 [ns] |
| Ft (transition/operation frequency) (@Inom.) | 0.06 [MHz] |
| Qg (Total Gate Charge) | 2088 [nC] |
| Cin/CL Load Capacitance | 27000 pF |
Materiale, colore, disegno:
| Tipo di materiale: | !_sic full_! |
| Material Base | Cu |
Parametri termici e meccanici:
| Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
| Tmax (temperatura massima di esercizio) | 175 [°C] |
| Rthjc (case) | 0.075 [°C/W] |
| Rthjc1 IGBT | 0.07 [°C/W] |
| Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.175 [°C/W] |
Dimensioni:
| PIN dimensioni | 0.00 [mm] |
Imballo e peso:
| Unità: | pezzi |
| Peso: | 350 [g] |
| Imballaggio: | 6 |
Alternative e sostituzioni
| Prodotti alternativi 1: | MD400HFR120B3S |
!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM027CT6AG
 |
I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm ID: 176035 Produttore no.: F05-AL2-62x106mm
| Stock totale: 926 Produttore: - |
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