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MSCSM120AM02CT6LIAG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

pezzi
ID Code:185251
Produttore:Microchip Technology
Prezzo con IVA : 2 144,327319 €
Prezzo senza IVA : 1 772,171338 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: MSCSM120AM02CT6LIAG
Tempi di consegna dalla fabbrica: 42wk-49wk
Unità:: pezzi
Panoramica degli sconti sulla quantità
Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 1 772,171338 €2 144,327319 €
5 + 1 698,331623 €2 054,981264 €
10 + 1 624,491117 €1 965,634252 €
25 + 1 550,650612 €1 876,287241 €
MOSFET 1200V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM120AM02CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance

Informazioni di base:

Marcatura del produttoreMSCSM120AM02CT6LIAG 
Tempi di consegna dalla fabbrica42wk-49wk [wk]
Tipo di componente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configurazione:Half Bridge 1*(Phase Leg) 
Specifica:SiC N-Channel MOSFET 
Costruzione:2*FET-BD+2*D 
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :SP6LI 
Tipo di materiale:SiC Full 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:350 [g]
Tipo di imballaggio:BOX 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)754 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1200 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)3750  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)2784 [nC]
Cin/CL Load Capacitance36240 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:108x62x22 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.04 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.109 [°C/W]
L - Lunghezza 108 [mm]
W - Larghezza 62 [mm]
H - Altezza 22 [mm]

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I+case 62x106_F05-AL2 I+case 62x106_F05-AL2   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Produttore no.: F05-AL2_62x106mm_SEMITRANS3  
Quantità [pezzi]1+50+200+500+
EUR/pezzi2,3687332,2581922,1397552,029214
Stock totale: 9304
Produttore: SEMIC EU  
RoHS
SP6CA1 SP6CA1   Adapter board for 1200V SP6LI SiC modules Microsemi controlled by Core Driver 2ACS-12A1HP
ID: 185302   Produttore no.: SP6CA1  
Quantità [pezzi]1+5+10+25+
EUR/pezzi121,452823116,392815111,332412106,271615
su richiesta
Produttore: Microchip Technology  
RoHS
ASBK-014 ASBK-014   PIC Programmer Assembly Kit - Agileswitch SiC Core driver
ID: 185353   Produttore no.: ASBK-014  
Quantità [pezzi]1+5+10+25+
EUR/pezzi242,325306232,230162222,133044212,036321
Stock totale: 1
Produttore: Microchip Technology  
RoHS
ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI   Accelerated Development Kit Driver Core for SiC modules 1200V 2x3W
ID: 185559   Produttore no.: ASDAK-2ASC-12A1HP-SP6LI  
Quantità [pezzi]1+5+10+25+
EUR/pezzi742,467430711,530991680,594552649,658508
su richiesta
Produttore: Microchip Technology  
RoHS
ASBK-015 ASBK-015   Device Hardware Kit - SP6LI
ID: 185841   Produttore no.: ASBK-015  
Quantità [pezzi]1+5+10+25+
EUR/pezzi229,557837219,993683210,428741200,863798
su richiesta
Produttore: Microchip Technology  
RoHS
2ASC-12A2HP 2ASC-12A2HP   Dual-Channel Augmented Core 2 -1200V
ID: 189282   Produttore no.: 2ASC-12A2HP  
Quantità [pezzi]1+5+10+25+
EUR/pezzi147,832610141,671931135,512436107,793920
su richiesta
Produttore: Microchip Technology  
RoHS
Tutti i prezzi sono senza IVA e non includono spese di spedizione, che verranno aggiunto all'ordine come elemento separato.

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