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MSCSM120HM083CAG

Full Bridge Sic Mosfet Power Module 1200V, 251A, Module-SP6C

pezzi
ID Code:189179
Produttore:Microchip Technology
Prezzo con IVA : 1 165,8794 €
Prezzo senza IVA : 963,5367 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: MSCSM120HM083CAG
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Unità:: pezzi
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25 + 843,0951 €1 020,1451 €


Informazioni di base:

Marcatura del produttoreMSCSM120HM083CAG 
Tipo di componente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configurazione:Bridge 1f 
Specifica:!_sic n-channel mosfet_! 
Costruzione:4*FET-BD+4*D 
Tipo di materiale:!_sic full_! 
RoHSSì 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_sp6-41_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:330 [g]
Tipo di imballaggio:TUBE 
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)251 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)251 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)600 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)1042  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)10.4 [mΩ]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Qg (Total Gate Charge)696 [nC]
Cin/CL Load Capacitance9000 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-40 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.144 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.34 [°C/W]
RM - Pitch pins[mm]
Number of Pins 12 
W - Larghezza 62 [mm]
L - Lunghezza 108 [mm]
H - Altezza 17 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)108x62x17 [mm]
PIN dimensioni2,8 [mm]
Lv - Length of outlets[mm]

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