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MSCSM120HM16CTBL3NG

SiC Mosfet Power Module 1200V 150A 560W Case BL3

pezzi
ID Code:189856
Produttore:Microchip Technology
Prezzo con IVA : 952,0246 €
Prezzo senza IVA : 786,7972 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: MSCSM120HM16CTBL3NG
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Unità:: pezzi
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QuantitàPrezzo senza IVAPrezzo con IVA
1 + 786,7972 €952,0246 €
5 + 754,0140 €912,3569 €
10 + 721,2308 €872,6893 €
25 + 688,4476 €833,0216 €


Informazioni di base:

Marcatura del produttoreMSCSM120HM16CTBL3NG 
Tipo di componente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configurazione:Bridge 1f 
Specifica:!_sic n-channel mosfet_! 
Costruzione:4*FET-BD+4*D 
Tipo di materiale:SiC Full 
RoHSSì 
REACHNo 
Type of casing:MODUL 
Caso:!_bl3_! 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:39 [g]
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)150 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)150 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)120 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)20 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)560  [W]
Rds(on) 10V (Ugs=10V)16 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)464 [nC]
Cin/CL Load Capacitance6040 pF

Parametri termici e meccanici:

Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.268 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.45 [°C/W]
W - Larghezza 52.6 [mm]
L - Lunghezza 47.5 [mm]
H - Altezza 9.3 [mm]
Rozměry/Velikost (LxWxH)48x53x9 [mm]
Lv - Length of outlets5.8 [mm]

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