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MSCSM120HM31CTBL2NG

SiC Mosfet Power Module 1200V 79A 310W Case BL2

pezzi
ID Code:189855
Produttore:Microchip Technology
Prezzo con IVA : 424,071458 €
Prezzo senza IVA : 350,472279 €
VAT:21 %
Disponibilità:su richiesta
Stock totale:0 pezzi
Marcatura del produttore: MSCSM120HM31CTBL2NG
Magazzino centrale Zdice: 0 pezzi
Tempi di consegna dalla fabbrica: 42wk-49wk
Unità:: pezzi
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Quantità (pezzi)Prezzo senza IVAPrezzo con IVA
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10 + 321,266940 €388,732997 €
25 + 306,663655 €371,063023 €


Informazioni di base:

Marcatura del produttoreMSCSM120HM31CTBL2NG 
Tempi di consegna dalla fabbrica42wk-49wk [wk]
Tipo di componente:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD+D) 
Configurazione:Bridge 1f 
Specifica:SiC N-Channel MOSFET 
Costruzione:4*FET-BD+4*D 
Tipo di caso:Modul 
Caso [inch] :BL2 
Tipo di materiale:SiC Full 
RoHSSì 
REACHNo 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Imballo e peso:

Unità:pezzi 
Peso:25.8 [g]
Pacchetto piccolo (numero di unità):

Parametri elettro-fisici:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)63 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)10 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)310  [W]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Qg (Total Gate Charge)232 [nC]
Cin/CL Load Capacitance3020 pF

Parametri termici e meccanici:

Dimensioni (L*W*H) [mm]:44x36x9 
Tmin (temperatura minima di esercizio)-55 [°C]
Tmax (temperatura massima di esercizio)175 [°C]
Rthjc1 IGBT0.483 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.854 [°C/W]
L - Lunghezza 43.6 [mm]
W - Larghezza 35.7 [mm]
H - Altezza 9.3 [mm]
Lv - Length of outlets5.8 [mm]

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