• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Kelvin source for easy drive
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance
Informazioni di base:
Marcatura del produttore | MSCSM170AM23CT1AG |
Tempi di consegna dalla fabbrica | 42wk-49wk [wk] |
Tipo di componente: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD+D) |
Configurazione: | Half Bridge 1*(Phase Leg) |
Specifica: | SiC N-Channel MOSFET |
Costruzione: | 2*FET-BD+2*D |
Tipo di caso: | Modul |
Caso [inch] : | SP1F |
Tipo di materiale: | SiC Full |
RoHS | Sì |
REACH | No |
NOVINKA | A |
RoHS1 | Ano |
Imballo e peso:
Unità: | pezzi |
Peso: | 96 [g] |
Tipo di imballaggio: | BOX |
Pacchetto piccolo (numero di unità): | 1 |
Parametri elettro-fisici:
Udc (URRM, UCEO, Umax) | 1700 [V] |
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C) | 98 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 4000 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.8 [VDC] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 602 [W] |
Input Logic Level (Ugs level) | 20V |
trr recovery time (If=Inom.,@25°C) | 27 [ns] |
tr (Turn-on / rise time) | 17 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 19 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 356 [nC] |
Cin/CL Load Capacitance | 6600 pF |
Parametri termici e meccanici:
Dimensioni (L*W*H) [mm]: | 52x43x12 |
Tmin (temperatura minima di esercizio) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura massima di esercizio) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.25 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.276 [°C/W] |
RM - Pitch pins | 3.8 [mm] |
RM1 - Spaziatura delle righe | 38 [mm] |
L - Lunghezza | 51.6 [mm] |
W - Larghezza | 42.5 [mm] |
H - Altezza | 12 [mm] |
PIN dimensioni | 1,4 [mm] |
Lv - Length of outlets | 5.8 [mm] |
Alternative e sostituzioni
Alternativa 1: | 180130 - FF11MR12W1M1_B11 (INF) |
Prodotti alternativi 1: | FF11MR12W1M1_B11 |